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概述 

近年来，碳纳米管晶体管（CNT）由于其体积小，出色的电子和 机械性能以及广泛的潜在实际应用，已成为许多科学的主题。特别是， 研究人员正在研究基于 CNT 的设备，例如 CNT FET，有可能用于传感 器、晶体管、存储设备等。表征精密纳米电子设备的电性能需要仪器 和测量技术针对低功率水平和高测量灵敏度进行优化。

测量配置 

CNT FET 是三端设备，需要两个或三个 SMU 仪器来进行 I-V 表征。 图 1 显示了用于生成 ID-VG 曲线的典型测试配置。 在此配置中，4200- SCS 型参数分析仪中的两台 SMU 连接到 CNT FET 的栅极和漏极端。 源端子连接到第三台 SMU 仪器或接地。 对于漏极电流 vs. 栅极电压测 试，SMU1 扫描栅极电压（VG），SMU2 输出一个恒定的 DC 漏极电压 （VD），并测量产生的漏极电流（ID）。 这种配置允许获得 DC I-V 漏 极曲线系列。通过更改 SMU1 的功能来逐步调节栅极电压和 SMU2 可 以轻松实现扫描漏极电压并测量漏极电流。

图 2 是 CNT FET 的 ID-VG 图。在这条曲线中，电压设置为恒定 2V。 带有前置放大器的SMU 允许测量从100mA 向下至 100aA分辨率的大范围的电流。 

为了防止在执行 I-V 特性测试时损坏设备，限制流过的电流量很重要。这可以通过在 SMU上调整源限制（合规性）来完成。 在 CNT FET 上测量低电流时，有很多噪声源，包括粒子碰撞、缺陷、 交流电拾取和静电干扰。 始终使用屏蔽技术和适当的线路周期积分时间可将噪声降至最低。 

当连接和断开仪表和设备端子时，确保探头处于向上位置（不要与探头接触）。移动电缆的过程可能会注入电荷到设备中并造成损坏。